首页  >  专题库  >  2021专题  >  中央企业科技创新成果集中发布(2020年)  >  推荐目录 > 正文
集成电路制造BCD工艺

文章来源:中国电子信息产业集团有限公司  发布时间:2021-05-20

102.集成电路制造BCD工艺

【所属领域】先进工艺

【中央企业名称】中国电子

【技术产品简介】近年来,随着全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升,高效、节能产品成为市场发展的新趋势,电源管理芯片越来越多地应用到整机产品中,高集成度的BCD工艺作为集成电源的最好工艺解决方案,也得到各芯片制造企业的高度重视。

BCD工艺已经是一个概念很广的技术,在真正的应用中,往往可以是单一的器件,也可是几种的组合,这完全取决于市场的需求和系统方案的要求。但最主要的市场在功率驱动(包括音频功放,LCD/LED的驱动,栅极驱动等),接口和电源管理(主要应用是手机、数码相机、台式/便携式计算机等各种电子产品)。

【产品图片】

 

图1芯片结构示意图

 

图2芯片外观图

图3 应用场景图

【技术指标】

1.16V NLDMOS BVDS—16V NLDMOS Vg=0V时drain to source击穿电压:27V

2.16V NLDMOS Rsp—16V NLDMOS Vg=5V,Vd=0.1V时drain to source每平方毫米导通电阻:10mΩ/mm2

3.20V NLDMOS BVDS—20V NLDMOS Vg=0V时drain to source击穿电压:32V

4.20V NLDMOS Rsp—20V NLDMOS Vg=5V,Vd=0.1V时drain to source每平方毫米导通电阻:12mΩ/mm2

5.24V NLDMOS BVDS—24V NLDMOS Vg=0V时drain to source击穿电压:35V

6.24V NLDMOS Rsp—24V NLDMOS Vg=5V,Vd=0.1V时drain to source每平方毫米导通电阻:14mΩ/mm2

7.30V NLDMOS BVDS—30V NLDMOS Vg=0V时drain to source击穿电压:39V

8.30V NLDMOS Rsp—30V NLDMOS Vg=5V,Vd=0.1V时drain to source每平方毫米导通电阻:16mΩ/mm2

联系人:刘源 联系电话:13917821865

【责任编辑:王占朝】

扫一扫在手机打开当前页

打印

 

关闭窗口