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1200V SiC MOSFET器件

文章来源:中国电子科技集团有限公司  发布时间:2021-05-21

6.1200V SiC MOSFET器件

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】中国电子科技集团有限公司

【技术产品简介】1200V SiC MOSFET系列产品导通电阻覆盖25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ,封装外形为TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等,聚焦于光伏逆变器、充电桩、开关电源、UPS、电机驱动器、储能、车载电源、汽车DC-DC等应用,在军用武器装备系统、导弹、火箭电气设备系统等也有广泛应用。

芯片工艺技术上,基于自主6英寸晶圆线,采用已经得到广泛应用验证的Planner工艺,满足应用鲁棒性要求,器件可靠、强固。55所是国内首家实现SiC MOSFET产品研制和批量生产的企业,达到国内外广泛应用的主流SiC MOSFET技术水平,填补了国内空白。采用SiC MOSFET器件的电路,通过提升开关频率,将显著无源器件、散热器的体积和数量,从而减少物料单(BOM)成分以及增加功率密度。

【产品图片】

图1 SiC MOSFET晶圆

图2 SiC MOSFET封装器件

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图3 SiC MOSFET应用

【技术指标】

1.击穿电压—器件阻断状态下能够承受的最大电压:1200V

2.阈值电压—栅压大于阈值电压器件开通,低于阈值电压器件关断:2.6V

3.导通电阻—工作栅压下,器件达到额定电流时的导通电阻:25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ

联系人:杨勇   联系电话:13770681275

【责任编辑:家正】

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