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3300V IGBT芯片和模块

文章来源:国家电网有限公司  发布时间:2021-05-21

8.3300V IGBT芯片和模块

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】国家电网有限公司

【技术产品简介】产品为高压大功率IGBT芯片/模块系列化产品,IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,在智能电网、新能源发电、轨道交通、电动汽车、消费类电子、工业控制、国防军工等领域应用极为广泛。高压IGBT将主要用于灵活交流输电、高压直流断路器、柔性直流输电等产品。

通过产品的规模产业化,打破国外垄断,实现高压IGBT器件在智能电网的国产化替代,推动经济社会发展,保障电网安全。

【产品图片】

图1 IGBT芯片

图2 FRD芯片

图3 IGBT 模块

图4 柔直应用

【技术指标】

1.阈值电压Vth(V)—器件开始导通的门极电压:5~7V

2.集电极-发射极饱和电压Vce(sat)(V)—器件的导通压降:3.7V

3.集电极-发射极漏电流最大值Ices(mA)—器件的漏电流:40mA

4.开通损耗Eon(mJ)-器件的开通损耗:4.5J

5.关断损耗Eoff(mJ)—器件的关断损耗:2.2J

联系人:骆健   联系电话:13851711976

【责任编辑:家正】

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