8．3300V IGBT芯片和模块

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】国家电网有限公司

【技术产品简介】产品为高压大功率IGBT芯片/模块系列化产品，IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，在智能电网、新能源发电、轨道交通、电动汽车、消费类电子、工业控制、国防军工等领域应用极为广泛。高压IGBT将主要用于灵活交流输电、高压直流断路器、柔性直流输电等产品。

通过产品的规模产业化，打破国外垄断，实现高压IGBT器件在智能电网的国产化替代，推动经济社会发展，保障电网安全。

【产品图片】

图1 IGBT芯片

图2 FRD芯片

图3 IGBT 模块

图4 柔直应用

【技术指标】

1．阈值电压Vth(V)—器件开始导通的门极电压：5～7V

2．集电极-发射极饱和电压Vce(sat)（V）—器件的导通压降：3.7V

3．集电极-发射极漏电流最大值Ices（mA）—器件的漏电流：40mA

4．开通损耗Eon（mJ）-器件的开通损耗：4.5J

5．关断损耗Eoff（mJ）—器件的关断损耗：2.2J

联系人：骆健   联系电话：13851711976

【责任编辑：家正】