30V~200V先进中低压功率MOSFET–SGT系列产品
30V~200V先进中低压功率MOSFET–SGT系列产品

文章来源:华润(集团)有限公司 发布时间:2021-05-21
16.30V~200V先进中低压功率MOSFET–SGT系列产品
【所属领域】核心电子元器件
【中央企业名称】华润(集团)有限公司
【技术产品简介】SGT MOS器件是新一代MOS型功率器件,广泛应用于移动通讯、电动工具、电动车辆、电源和电池控制、工业控制等领域,具有良好的应用前景。
SGT MOS器件是目前理想的中低压功率器件,该器件利用电荷补偿原理能够同时获得极低的导通电阻Ron、栅极电荷Qg以及米勒电荷Qgd,能够有效地降低系统的导通损耗和开关损耗,从而提升系统转换效率,提高了功率密度,减少器件的并联需求,简化了系统设计。
【产品图片】
图1 TO-220产品
图2 DFN5x6产品
图3 电机控制器应用
【技术指标】
1.单位面积导通电阻Rsp—MOSFET导通电阻(单位面积),越低越好:Rsp=33mΩ.mm2 (100V MOSFET)
2.品质因子FOM—MOSFET Ron*Qg,越低越好:FOM=146mΩ.nC
联系人:陈钧 联系电话:13701510699
【责任编辑:家正】