首页  >  专题库  >  2021专题  >  中央企业科技创新成果集中发布(2020年)  >  推荐目录 > 正文
600V~1200V沟槽栅FS IGBT及配套FRD

文章来源:华润(集团)有限公司  发布时间:2021-05-21


17.600V~1200V沟槽栅FS IGBT及配套FRD

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】华润(集团)有限公司

【技术产品简介】600V~1200V沟槽栅FS IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件结合了MOSFET(金属氧化物场效应功率晶体管)和BJT(双极晶体管)的优势,具有工作频率高、功率密度大、导通压降低、热稳定性好,同时兼备输入阻抗高,驱动简单等优点。

经过长期技术研发和产品应用积累,600V、1200V分立器件IGBT产品已经完成系列化,电流分布从5A到75A。并广泛推广到UPS、光伏逆变、变频器、电机驱动、电源、电焊机、电磁加热等领域。

【产品图片】

图1 IGBT晶圆

图2 IGBT分立器件

图3 UPS

图4 焊机

【技术指标】

1.VBR(CES)(V)—正向阻断能力(耐压):1200V

2.VGE(th) (V) —阈值电压:5.5V

3.VCEsat(V) —正向导通压降:1.9V

联系人:陈钧   联系电话:13701510700

【责任编辑:家正】

扫一扫在手机打开当前页

打印

 

关闭窗口