17．600V~1200V沟槽栅FS IGBT及配套FRD

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】华润（集团）有限公司

【技术产品简介】600V~1200V沟槽栅FS IGBT(绝缘栅双极晶体管）器件结合了MOSFET(金属氧化物场效应功率晶体管)和BJT(双极晶体管)的优势，具有工作频率高、功率密度大、导通压降低、热稳定性好，同时兼备输入阻抗高，驱动简单等优点。

经过长期技术研发和产品应用积累，600V、1200V分立器件IGBT产品已经完成系列化，电流分布从5A到75A。并广泛推广到UPS、光伏逆变、变频器、电机驱动、电源、电焊机、电磁加热等领域。

【产品图片】

图1 IGBT晶圆

图2 IGBT分立器件

图3 UPS

图4 焊机

【技术指标】

1．VBR(CES)（V）—正向阻断能力（耐压）：1200V

2．VGE(th) (V) —阈值电压：5.5V

3．VCEsat(V) —正向导通压降：1.9V

联系人：陈钧   联系电话：13701510700

【责任编辑：家正】