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高压IGBT

文章来源:中国中车集团有限公司  发布时间:2021-05-21

20.高压IGBT

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】中国中车集团有限公司

【技术产品简介】高压IGBT器件技术门槛非常高,以毫米间距承受数千伏电压,以亚微米精细结构承受数千安培电流,以焦耳级功耗控制兆瓦级功率,批量应用于电力机车、高速动车组、地铁等轨道交通领域,以及大功率变频器装置。覆盖了1700V-6500V的电压等级和500A-1800A的电流输出能力。芯片采用第四代DMOS+技术,具备低导通压降、软开关特性、裕量大等特性。模块采用AlSiC基板、AlN衬板,具有高热循环能力、高可靠性等特点,满足车辆频繁启动和长距离可靠性运行要求。

【产品图片】


 

 

【技术指标】

1.Vce—导通压降典型值:3300VIGBT产品:3.1V@1500A   6500V IGBT产品:3.3V@750A

2.功率循环能力—功率循环能力:≥30万次, △Tj=80℃

3.温度循环能力—温度循环能力:≥20000次;Tj=150℃

联系人:郭维立 联系电话:15873369066

【责任编辑:家正】

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