16．30V~200V先进中低压功率MOSFET–SGT系列产品

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】华润（集团）有限公司

【技术产品简介】SGT MOS器件是新一代MOS型功率器件，广泛应用于移动通讯、电动工具、电动车辆、电源和电池控制、工业控制等领域，具有良好的应用前景。

SGT MOS器件是目前理想的中低压功率器件,该器件利用电荷补偿原理能够同时获得极低的导通电阻Ron、栅极电荷Qg以及米勒电荷Qgd，能够有效地降低系统的导通损耗和开关损耗，从而提升系统转换效率，提高了功率密度，减少器件的并联需求，简化了系统设计。

【产品图片】

图1 TO-220产品

图2 DFN5x6产品

图3 电机控制器应用

【与国外同类技术产品对比情况】

技术对比情况：相当

价格对比情况：低于

国外技术产品厂家及名称：英飞凌OptiMOS系列产品 / 安森美PowerTrench系列产品

【技术指标】

1．单位面积导通电阻Rsp—MOSFET导通电阻（单位面积），越低越好：Rsp=33mΩ.mm2 (100V MOSFET)

2．品质因子FOM—MOSFET Ron*Qg，越低越好：FOM=146mΩ.nC

17．600V~1200V沟槽栅FS IGBT及配套FRD

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】华润（集团）有限公司

【技术产品简介】600V~1200V沟槽栅FS IGBT(绝缘栅双极晶体管）器件结合了MOSFET(金属氧化物场效应功率晶体管)和BJT(双极晶体管)的优势，具有工作频率高、功率密度大、导通压降低、热稳定性好，同时兼备输入阻抗高，驱动简单等优点。

经过长期技术研发和产品应用积累，600V、1200V分立器件IGBT产品已经完成系列化，电流分布从5A到75A。并广泛推广到UPS、光伏逆变、变频器、电机驱动、电源、电焊机、电磁加热等领域。

【产品图片】

图1 IGBT晶圆

图2 IGBT分立器件

图3 UPS

图4 焊机

【与国外同类技术产品对比情况】

技术对比情况：相当

价格对比情况：低于

国外技术产品厂家及名称：上海赛治:FC-AE MC100芯片

【技术指标】

1．VBR(CES)（V）—正向阻断能力（耐压）：1200V

2．VGE(th) (V) —阈值电压：5.5V

3．VCEsat(V) —正向导通压降：1.9V

18．硅基高速光耦系列产品

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】华润（集团）有限公司

【技术产品简介】硅基高速光耦，是高端光电耦合器件，用于输入与输出间互相隔离，具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力，还有很强的共模抑制能力，广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、通信设备及微机接口中；光耦合器中的核心的器件是光接收芯片。华润微电子具备从100K～15Mbd的系列高速光耦芯片，性能优越，是国产光耦类产品的领军者。

【产品图片】

图1 产品图片

图2 应用实例

图3 应用场景

【与国外同类技术产品对比情况】

技术对比情况：相当

价格对比情况：低于

国外技术产品厂家及名称： Broadcom、Toshiba等厂家的6N13x等

【技术指标】

1．tPHL—高到低电平传输延迟：<30ns

2．tPLH—低到高电平传输延迟：<40ns

3．PWD—脉宽失真：<15ns