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中国电子所属华虹NEC成功推出高压400V MOSFET制程

文章来源:中国电子信息产业集团公司  发布时间:2009-12-18

  中国电子所属上海华虹NEC公司近日宣布完成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)400V高压工艺的研发,成功进入高压MOSFET代工市场。通过技术攻关,华虹NEC公司成功将Trench结构应用在高压 400V MOSFET工艺中,该工艺可应用于荧光灯、台式机、笔记本电脑、液晶电视、显示器等的交直流电源和适配器上,与传统的平面结构VDMOS相比,该工艺可有效降低产品的导通电阻,功耗低、效率高,能更好地满足市场和客户需求,下一步华虹NEC还将继续研发推出500V-800V的MOSFET产品工艺。

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