5月9日上午，由中国建筑工程总公司所属中建一局承建的西安三星半导体闪存芯片项目，在西安高新区举行竣工投产仪式。

　　该项目的竣工，标志着高端闪存芯片由此正式量产，并将生产世界上最先进的10纳米级NAND闪存芯片（V-NAND）。

　　该项目刷新的“陕西速度”和“西安效率”，提速了西安“21世纪数字丝绸之路”新起点建设。