16.SiC MOSFET

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】中国电子科技集团有限公司

【成果简介】SiC MOSFET在电力变换电路中作为开关管被使用，适用于高压大电流工况。用SiC MOSFET代替硅超结MOS或IGBT，可显著提高系统的开关频率，降低系统的损耗，同时可以简化电路拓扑、减小系统尺寸。中国电子科技集团公司第五十五研究所自主研制生产的WM1A080120L1型SiC MOSFET已批量应用于新能源汽车OBC。

【主要指标】

1.漏源耐压VDSmax：1200V

2.驱动电压：15-20V

3.导通电流ID：36A

4.比导通电阻：3.8mΩ⋅cm2

【应用推广需求】

1.应用推广方式：销售

2.应用推广领域：高压大电流的电力电子变换电路，如新能源汽车、光伏逆变、服务器电源等。

【成果图片】

【联系人】

集团联系人：丁一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com

成果联系人：刘强，19850089771，liuqiangphy@126.com

【责任编辑：家正】