首页  >  专题库  >  2022专题  >  中央企业科技创新成果产品手册(2022年版)  >  推荐目录  >  核心电子元器件 > 正文
25Gbits InGaAs雪崩光电二极管芯片

文章来源:中国电子科技集团有限公司  发布时间:2023-05-20

30.25Gbits InGaAs雪崩光电二极管芯片

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】中国电子科技集团有限公司

【成果简介】本产品是一款单波传输速率25Gbps高速雪崩光电二极管芯片,应用于25G/100G-PON(5G中前传),完成光信号检测,并输出倍增的电信号,实现光电信号转换。其f3dB≥20GHz,Re≥0.8A/W,ID≤500nA(25℃),产品通过用户应用验证并形成批量化生产能力。

【主要指标】

1.3dB带宽(f3dB)≥20GHz

2.响应度(Re)≥0.8A/W

3.暗电流(ID)≤500nA

【应用推广需求】

1.应用推广方式:销售

2.应用推广领域:光通信行业。

【成果图片】

【联系人】

集团联系人:丁一牧,010-84352395(13552993699),dingyimu@vip.163.com

成果联系人:陈伟,13983886729,uestcw@163.com

【责任编辑:家正】

扫一扫在手机打开当前页

打印

 

关闭窗口