微波半导体芯片综合参数在片测试系统
微波半导体芯片综合参数在片测试系统
文章来源:中国电子科技集团公司 发布时间:2023-05-20
127.微波半导体芯片综合参数在片测试系统
【所属领域】分析测试仪器
【中央企业名称】中国电子科技集团公司
【成果简介】
本产品采用基于相干信号的负载牵引以及基于矢量误差修正的噪声系数测量方案,具有连续波及脉冲S参数、等功率圆、等效率圆、噪声系数、交调等参数的在片测量功能,以及在片校准功能。产品测试功能丰富,具有反射系数调谐范围大、测量速度快、校准算法精确等特点。广泛应用于微波功率芯片、低噪声芯片、滤波芯片设计、生产、检验等环节,为芯片设计优化、工艺改进、生产检验提供测试支撑作用。产品技术成熟度达到8级。
【主要指标】
(一)频率范围:10MHz~67GHz
(二)等噪声系数圆频率测量范围:10MHz~67GHz
(三)噪声系数测量范围:≥30dB
(四)Smith圆图(反射系数)最大调谐范围:≥0.99
(五)探针间距精度:±25μm
(六)校准片类型:TRL、SOLT校准片等系列
【应用推广需求】
(一)应用推广方式:销售
(二)应用推广领域:本产品应用于微波半导体芯片的芯片设计、芯片制造、芯片检验、芯片应用等产业环节,满足微波半导体芯片、微波集成电路(MMIC)等微波半导体芯片的测试需求。
【成果图片】
【联系人】
集团联系人:丁一牧,010-84352395(13552993699),dingyimu@vip.163.com
成果联系人:汪定华,18505528366,m13910851102@163.com
【责任编辑:王莉】