199. 5英寸锑化铟材料

【所属领域】关键材料

【中央企业名称】中国电子科技集团公司

【成果简介】该产品属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，主要应用于中波光伏单元、多元以及焦平面阵列红外探测器芯片的研制，这些芯片主要用于导弹制导，天文观测等领域。使用它制备的PN结型器件能够将中波红外光转化为电子-空穴对，在PN结的两端产生电压值，从而起到探测红外光的目的。特点是大尺寸、低缺陷、高几何表面质量。技术成熟度为5级。

【主要指标】

1. 晶片直径：125±0.5mm

2. 位错密度：≤50cm-2

3. TTV：≤10μm

【应用推广需求】

1. 应用推广方式：销售、许可、作价投资、合作实施

2. 应用推广领域：导弹制导、广域侦察等用锑化铟中波红外探测器。

【成果图片】

图1

 

图2

 

图3

【联系人】

集团联系人：丁一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com

成果联系人：赵超，15010363191，zhaochaoxd@163.com

【责任编辑：俞昭君】