252. AMB基板一体化封装

【所属领域】先进工艺

【中央企业名称】中国电子科技集团有限公司

【成果简介】 陶瓷覆铜板外壳的底座由氮化硅陶瓷覆铜基板、通孔铜柱、封口环等部分组成，具备大载流能力，强绝缘及高气密性的优点。该外壳用于MOS多芯片封装，可用于阳极点火器封装模块及其他功率模块。氮化硅陶瓷覆铜基板布线灵活，通过化学蚀刻即可制备出不同功能要求的电路板，尺寸根据需要进行变动，焊盘互联可通过大载流的铜柱实现正反面连接，调整通孔位置即可扩展为新的产品。该外壳支持最大载流20A，满足军用器件的气密性及可靠性要求，同时，相较于其他陶瓷外壳，氮化硅覆铜外壳具备优异的机械性能，适用于机械振动、冲击较强的场合。经过两年的攻坚，技术成熟度达到六级。

【主要指标】

1.剥离强度：≥6N/mm

2.基板镀层厚度：镍2.54~8.9微米，钯≥0.05微米，金≥0.025 微米

3.绝缘电阻：≥1×109Ω（500V DC）

4.载流能力：≥20A（DC）

5.外壳散热性：16W

6.空壳气密性：A4≤1×10-3（Pa·cm3）/s（He）

【应用推广需求】

1.应用推广方式：销售。

2.应用推广领域：应用推广领域 电子器件技术、高功率激光器领域。

【成果图片】

图1

图2

图3

【联系人】

集团联系人：丁一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com

成果联系人：张振文，18656593490，zzw410@163.com

【责任编辑：王占朝】