【成果简介】

SiC JBS较传统Si二极管器件有更高的耐压水平，更低的漏电以及近乎为“零”的优秀反向恢复，使SiC JBS器件可以工作在更高工作频率下，比Si更高的材料禁带宽度及高热导率特性，使SiC JBS器件可以工作在更高结温环境下。

华润微最新的G2 SiC JBS平台是自主开发的第四代精细元胞结构及超薄减薄工艺平台，通过优化元胞及终端设计，配合超薄SiC衬底减薄，在降低Vf典型值10%的情况下，芯片面积较前一代缩小20%，同时搭配多层钝化和激光划片技术，产品可靠性达到工规+，其典型产品通过车规可靠性摸底。目前G2平台系列产品在浪涌能力相同的情况下，反向耐压及正向导通特性已达到国际头部企业技术水平，其产品性能处于国内领先、国际先进。

【主要指标】

（一）击穿电压V_BR：＞650V

（二）反向漏电I_R：＜50uA

（三）正向压降V_F：＜1.5V

【应用推广需求】

（一）应用推广方式：销售

（二）应用推广领域：新能源汽车、充电桩、光伏逆变、高端电源等

【成果图片】

产品照片

产品应用场景照片

【联系人】

集团联系人：杨华胜，15901036652，yanghuasheng3@crc.com.hk

成果联系人：孙永生，15261528595，sunyongsheng1@crmicro.com

【责任编辑：梁咏诗】