【成果简介】

SiC MOSFET较传统Si基MOSFET器件有更高的耐压水平，更低的漏电，更快速的开关以及优秀的体二极管恢复特性，使SiC MOSFET器件可以工作在更高工作频率下，比Si材料具有更高的禁带宽度及高热导率特性，使SiC MOSFET器件可以工作在更高温度结温环境下。

目前华润微电子SiC MOSFET产品平台，通过优化正面元胞结构，大大降低了Rdson电阻，同时在P阱区之间JFET中部反向耐压电场也得到明显改善，提高了器件工作可靠性。对比国际头部企业技术产品，目前在该平台上的系列产品在耐压能力、导通特性、短路及浪涌能力等方面，全面达到同等水平，产品性能处于国内领先、国际先进的水平。

【主要指标】

（一）击穿电压：＞1200V

（二）电流：30A

（三）导通电阻：＜90mΩ

【应用推广需求】

（一）应用推广方式：销售

（二）应用推广领域：新能源汽车、充电桩、光伏逆变、高端电源等

【成果图片】

 

产品照片

应用场景照片

【联系人】

集团联系人：杨华胜，15901036652，yanghuasheng3@crc.com.hk

成果联系人：孙永生，15261528595，sunyongsheng1@crmicro.com

 

 

【责任编辑：梁咏诗】