【成果简介】

集成电路用12英寸高纯镍铂靶是65-28nm特征尺寸大规模集成电路用关键材料，形成NiSi化合物，代替硅化钴用于集成电路栅极、源/漏极区接触层，可提高沟道内载流子迁移率，降低器件阻抗与功耗，提升驱动电流、频率响应和操作速度。随着电子器件微细化及高集成度技术的发展，对靶材的纯度、微观组织、磁性能、焊接性能等的精细化控制要求越来越高。

有研亿金通过自主创新，掌握了12英寸高纯镍铂材料制备的核心技术，产品实现批量化生产，最终形成具有我国自主知识产权的集成电路芯片用高纯镍铂靶材制造技术及批量生产能力，靶材技术成熟度达到9级。

【主要指标】

（一）纯度：4N5

（二）氧含量：≤100ppm

（三）晶粒尺寸：≤100μm

（四）焊合率：≥97%

【应用推广需求】

（一）应用推广方式：销售

（二）应用推广领域：集成电路行业芯片制造企业

【成果图片】

 

 

【联系人】

集团联系人：王琳，18811215609，wanglin@grinm.com

成果联系人：罗俊峰，13581933391，ljf@grikin.com

【责任编辑：贾建慧】