一、成果简介

本产品由中电科半导体材料有限公司开发，是用于制备高温、高频、大功率、高压器件的第三代半导体材料。产品突破了碳化硅单晶衬底产业化技术瓶颈，集成了33项专利成果，获得3项国家级和省级科学技术奖。目前6英寸产品已实现批量供货，8英寸产品已通过国内外头部芯片厂家和下游企业的应用验证，并对部分企业稳定供货。

二、主要指标

（一）6英寸半绝缘衬底电阻率≥1E10Ω·cm；

（二）6英寸N型衬底微管密度＜0.05cm^-2；

（三）8英寸衬底微管密度＜0.5cm^-2；

（四）中高压外延层浓度均匀性＜5%；

（五）6500V以上外延层浓度均匀性＜10%；

（六）8英寸外延层浓度均匀性＜5%。

三、联系方式

王学军，15343406555，cetcwxj@163.com

【责任编辑：孙华宇】