一、成果简介

本产品由上海积塔半导体有限公司开发，集成56项专利成果，荣获中国电子学会科技进步奖二等奖、中国电子集团科技进步奖一等奖，并通过车规级IATF 16949体系认证，具有高密度沟槽、高能氢注入场终止等高性能车规IGBT工艺能力，累计出货67万片，已应用于比亚迪等国内主流新能源汽车厂商。

二、主要指标

（一）电压范围：650～1700V；

（二）沟槽密度（Pitch）：1.2μm（对标英飞凌第七代工艺）。

三、联系方式

刘慧娟，18129449100，huijuan_liu@gtasemi.com.cn

【责任编辑：孙华宇】