所属企业：华润（集团）有限公司 发布时间：2026-01-06
一、成果简介
本产品由无锡华润上华科技有限公司开发，集成21项专利成果，荣获江苏省科学技术二等奖，已累计产出晶圆200余片，应用于大功率IC、汽车BMS、马达驱动等市场。
二、主要指标
（一）深槽刻蚀深度≥20μm；
（二）深槽填充：封口位置位于衬底表面以下；
（三）深槽隔离耐压≥200V；
（四）100V N型横向双扩散MOS晶体管击穿电压≥130V；
（五）100V N型横向双扩散MOS晶体管导通电阻≤180Ω/mm2；
（六）ESD HBM≥4000V；
（七）工艺可靠性：通过AEC Q-100 G1(-40～125℃)。
三、联系方式
林 峰，15052290939，linfeng@csmc.crmicro.com
【责任编辑：孙华宇】